型号:IRFSL59N10D | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 描述:MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 59A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 35.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 114nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2450pF @ 25V |
功率_最大 | 3.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | TO-262 |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市源丰诚电子科技有限公司 | 朱先生0755-23919407 |
深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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